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KX80FZ
懸浮區(qū)熔單晶爐
懸浮區(qū)熔單晶爐是一種利用高頻感應(yīng)加熱使處于懸浮狀態(tài)的半導(dǎo)體材料熔區(qū)在籽晶和多晶棒之間移動，從而生長出高質(zhì)量單晶的設(shè)備
全兼容 精準(zhǔn)耐用
懸浮區(qū)熔單晶爐是一種利用高頻感應(yīng)加熱使處于懸浮狀態(tài)的半導(dǎo)體材料熔區(qū)在籽晶和多晶棒之間移動，從而生長出高質(zhì)量單晶的設(shè)備
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產(chǎn)品特點(diǎn)
全兼容
兼容8吋及以下規(guī)格單晶生長。
精準(zhǔn)耐用
設(shè)備運(yùn)行精度高且長期穩(wěn)定。
高精控壓
真空、正壓控制精度高。
視覺智檢
視覺檢測精確可靠，能夠?qū)崟r、全方位監(jiān)控熔區(qū)狀態(tài)。
可選配置
機(jī)械手輔助上料系統(tǒng)、液壓取料車、半自動關(guān)門系統(tǒng)。
技術(shù)參數(shù)
| 型號 | KX80FZ |
| 適用規(guī)格單晶直徑 | ≤8英寸 |
| 整機(jī)尺寸 | 5750×4500×12350mm |
| 真空度(mbar） | ≤0.02 |
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證券代碼
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