PVT-RS-40
碳化硅電阻式長晶爐
用于6/8/12英寸導電和高純半絕緣型SiC晶體生長，多加熱器設計允許靈活的工藝和熱場設置，上裝載結構可實現便捷的開裝爐及維護操作，同時設備擁有高精度控溫、控壓能力，工藝性能穩定優良。
緊湊布局 適用廣泛
用于6/8/12英寸導電和高純半絕緣型SiC晶體生長，多加熱器設計允許靈活的工藝和熱場設置，上裝載結構可實現便捷的開裝爐及維護操作，同時設備擁有高精度控溫、控壓能力，工藝性能穩定優良。
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技術參數
成熟的熱場設計
軸徑分離，有利于缺陷控制；良好的徑向溫場，可實現低應力，低裂損，晶體厚度可達20-30mm。
工藝適配性
可配備多個加熱器并獨立控制，便于調整溫度梯度。
智能化
一鍵啟動、可集中監控，人員需求少，可根據客戶需 求，定制長晶環節自動化生產線。
其他優勢
上下料方便拆卸，熱場使用壽命長，坩堝提拉穩定性 好，電源抗干擾，穩定性強。
產品特點
| 型號 | PVT-RS-40 |
| 尺寸：整機長 x 寬 x 高 | 2550x2550x3460mm |
| 加熱方式 | 電阻加熱 |
| 可選配置 | 雙測溫點、多加熱器 |
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