PVT-RS-35(A/D)

碳化硅雙加熱器電阻式長(zhǎng)晶爐

用于6/8/12英寸導(dǎo)電和高純半絕緣型SiC晶體生長(zhǎng)，多加熱器設(shè)計(jì)允許靈活的工藝和熱場(chǎng)設(shè)置，上裝載結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)便捷的開裝爐及維護(hù)操作，同時(shí)設(shè)備擁有高精度控溫、控壓能力，工藝性能穩(wěn)定優(yōu)良。

聯(lián)系咨詢

結(jié)構(gòu)緊湊省空間

產(chǎn)品特點(diǎn)

結(jié)構(gòu)緊湊省空間

結(jié)構(gòu)緊湊，可采用并排布局，提高廠房利用率。

雙控模式更節(jié)能

加熱控制方式可在功率或者溫度控制二種模式任意選擇。

獨(dú)立控制便于條紋

雙加熱器并獨(dú)立控制，便于調(diào)整溫度梯度。

滿足6/8吋晶體生長(zhǎng)

滿足6/8吋半絕緣/導(dǎo)電晶體生長(zhǎng)需求。

精準(zhǔn)旋轉(zhuǎn)保溫均

籽晶軸旋轉(zhuǎn)功能，精度±0.01rpm，便于營(yíng)造徑向溫度均勻環(huán)境，滿足厚晶體生長(zhǎng)。

智能算法控精度

設(shè)備控制系統(tǒng)采用多種先進(jìn)算法，控制精度高。

智能化

可根據(jù)客戶需求，定制長(zhǎng)晶環(huán)節(jié)自動(dòng)化生產(chǎn)線。

技術(shù)參數(shù)

型號(hào)	PVT-RS-35(A/D)
尺寸：整機(jī)長(zhǎng) x 寬 x 高	2600X3000X3800mm
裝料方式	上部裝料
可選配置	熱場(chǎng)及基礎(chǔ)工藝包