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<strong>主要技術(shù)指標(biāo)</strong><br> 1、整機(jī)尺寸:(LWH)2000X2300X10800m;<br> 2、主腔室內(nèi)徑1400mm,副爐室內(nèi)徑350mm;兼容24~34英寸RCz和32~34英寸CCz熱。衫10英寸以下直徑的晶體;<br> 3、加熱方式:電阻加熱,DC電源Pmax=150:50Kw,頻率50Hz;
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<strong>主要技術(shù)指標(biāo)</strong><br> 1、加工晶棒直徑:4~8英寸<br> 2、加工晶棒長度:≤400mm<br> 3、橢圓度:≤0.05mm
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<strong>設(shè)備優(yōu)勢</strong><br> 主要部件均采用知名品牌,穩(wěn)定性高,耐用性強(qiáng)。<br> 采用精度P3級滾珠絲桿傳動,精度高。<br> 鑄件采用高等級灰口鑄鐵,具有更好的抗彎及抗扭應(yīng)力。<br> 可選配三級過濾水箱或紙帶式過濾器,保持切削液清潔,提高加工性能及刀具壽命,減少環(huán)境污染。<br> 硬軌全人工刮研,導(dǎo)軌貼合面采用貼塑處理,降低阻尼系數(shù),提高機(jī)床精度。<br> 可選配常規(guī)、密集型以及一體式電磁吸盤,通用性強(qiáng)。
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<strong>設(shè)計(jì)優(yōu)點(diǎn)</strong><br> 1、滿足6吋/8吋晶體生長;<br> 2、一鍵智能啟動,減少人工干預(yù),利于規(guī)模化生產(chǎn);<br> 3、PVT-MF-50型碳化硅感應(yīng)式長晶爐適用于生長高質(zhì)量六吋碳化硅單晶、高純度碳化硅原料合成、晶體退火等領(lǐng)域。<br>
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連科半導(dǎo)體:首家成功生長12吋碳化硅晶錠的專業(yè)設(shè)備商
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